光纖預制棒

技術(shù)特點(diǎn)

火焰水解法制備高純度合成石英

在潔凈廠(chǎng)房?jì)?，將高規格四氯化硅?/span>SiCl₄）在氫氧焰中水解生成亞微米二氧化硅（SiO₂）顆粒，一個(gè)或者

多個(gè)用于反應地噴燈將亞微米顆粒堆積成柱狀粉末體（soot），精確的火焰溫度控制和摻雜工藝實(shí)現柱體

徑向合軸向均勻的密度分布合預訂的折射率分布。

粉末體在氯氣（Cl2）合氦氣（He）的加熱爐內被充分脫水除雜，然后燒結成高純度透明玻璃預制棒。

氣相軸向沉積工藝制備芯棒            

 軸向生長(cháng)粉末體，燒結時(shí)無(wú)中心縮合孔，具備四大工藝中最低的羥基含量，可制備零水峰光纖；

氟摻雜工藝，降低芯層二氧化鍺含量, 具備更低的本征損耗

自主知識產(chǎn)權多噴燈技術(shù)，豐富折射率剖面設計，可制備G652，G657以及G655系列光纖。

外部氣相沉積工藝制備包層

高沉積速率，大尺寸。

延伸技術(shù)

 實(shí)現預制棒芯棒芯，包層直徑的精確控制，光纖幾何，光學(xué)指標同一性更好。

產(chǎn)品種類(lèi)

 具有滿(mǎn)足G. 652 D,G657A1, G657A2 以及G655拉絲生產(chǎn)的光纖預制棒系列。

關(guān)鍵技術(shù)指標

具有不同平均外徑和有效長(cháng)度的光纖預制棒，平均外徑從90～200mm, 有效長(cháng)度從1000mm到3000mm；

光纖產(chǎn)品指標達到并優(yōu)于ITU-T標準；

VAD芯棒技術(shù)使光纖在1383nm基本無(wú)附加吸收，達到零水峰光纖制作要求。